報道稱,IBM公司用多年時間研究制造堆疊納米芯片工藝技術和材料,此前流行的電子束光刻工藝對于批量生產(chǎn)而言過于昂貴,而即將投入生產(chǎn)的5納米芯片,將使用工藝成本有所降低的極光紫外光刻技術。新型芯片雖然只有指甲大小,其上卻能集成300億個晶體管,在與10納米芯片進行對比的測試中發(fā)現(xiàn),在給定功率下,其性能可提升40%;在同等效率下,5納米芯片可以節(jié)省74%電能?! ?..
如圖1所示,目前國際報道的基于主流高k金屬柵FinFET制造工藝形成堆疊納米線器件的研發(fā)有兩種不同方案:堆疊納米線(SNW,IMEC)和堆疊納米片(Nanosheet,IBM)技術。上述方案都需要在普通硅襯底上外延生長高質量的多層GeSi/Si結構,并在高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕GeSi或Si,最終在溝道中選擇形成堆疊納米線而在源漏中保持Fin結構。...
在微觀尺度下,納米材料仿佛打開了一個物質的新世界?! 皩崿F(xiàn)納米材料表面或界面調(diào)控,乃至探索真空互聯(lián)下原子制造等全新制備工藝,是全球公認的突破‘摩爾定律失效魔咒’、研發(fā)未來信息器件及集成電路的關鍵技術問題?!睆埇E告訴記者?! ∪欢?em>納米材料的制備、測試、加工極其困難。“以制造芯片的Class 10超凈間為例,在1立方英尺的空間中,不能有超過10粒0.5微米以上的粉塵?!?..
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